從材料,電壓電阻電流溫度來分析貼片電容和電解電容的區別的優劣


多層貼片陶瓷電容器的絕緣電阻表明,當電容器終端系統施加直流工作電壓(無紋波)時,在設定不一樣時間 (比方60秒) 以后,運行電壓和泄電流數據之間的比率。當電容器的絕緣電阻實際值為無窮大時,實踐電阻是有限的,由于實踐電容器的絕緣電極之間的電流流量很小。上面兩個電阻值可以稱為“絕緣材質電阻器“,并用兆歐[MΩ]和歐法拉[ΩF]等單元實際表現。
絕緣電阻值的性能
當直流電壓直接運行在電容器中,突發電流跟著電容器技術進步逐步被充電,電流呈指數可以下降。
電流I (t) 隨時間的增加而分為以下三類 (如方程 (1) 所示),即充電任務電流Ic (t)、接收應用電流Ia (t) 和泄電維護電流Ir。
I (t)=Ic (t)+Ia (t)+Ir 方程 (1)
與充電電流比擬,接收電流有一個延遲進程,在低頻范疇內,介電消耗、高介電常數鐵電電容器(鐵電電容器)的極性產生反轉,肖特基勢壘出現在陶瓷電極與金屬電極的界面上。
泄電電流是在接收應用電流的影響企業下降后,在必定開展階段先生產生的常數電流。
因而,以下的電流值隨施加到電容器上的時間電壓的大小而變更。這意味著,只要在指定任務電壓用處下的按時實行測量技術才能終極斷定電容器的絕緣電阻值。
絕緣電阻值
絕緣電阻的大小用 megohm [ mω ]或 ohmfara [ ωf ]表示。
指定值隨電容值的變化而變化。這個值表示為名義電容和絕緣電阻(cr 乘積)的乘積。如: 絕緣材質電阻大于1萬MΩ時,電容為≤0.047µF,當絕緣測試電阻為500ΩF時,其值>0.047µF。
絕緣電阻值的保證
性能 性能(1) 性能(2)
船長圖申shizuka的標準數量容量C < = 0.047微米F…超過10000米阻抗
C>0.047μF???500ΩF以上 50ΩF以上
測試條件 測量電壓???額定電壓
充電時間???2分鐘
測量溫度???常溫
充放電電流???50mA以下 測定電壓???額定電壓
充電時間???1分鐘
測定溫度???常溫
充放電電流???50mA以下
計算公式范例
為1µF時 性能(1)的絕緣電阻值
“=500ΩF/1*10-6F“
“=500Ω/1*10-6“
“=500Ω*106“
“=500MΩ以上“ 性能(2)的絕緣電阻值
“=50ΩF/1*10-6F“
“=50Ω/1*10-6“
“=50Ω*106“
“=50MΩ以上“
代表容量值 性能(1)
絕緣電阻值 性能(2)
絕緣電阻值
1μF 500MΩ以上 50MΩ以上
2.2μF 227MΩ以上 22.7MΩ以上
4.7μF 106MΩ以上 10.6MΩ以上
10μF 50MΩ以上 5MΩ以上
22μF - 2.27MΩ以上
47μF - 1.06MΩ以上
100μF - 0.5MΩ以上
以上數據顯示,電容值與絕緣材質電阻值成反比(電容值越高絕緣電阻值越低)。
緣由說明以下: 思索到陶瓷電容可視為導體,可以依據施加在其上的電壓和電流,應用歐姆定律計算絕緣電阻。
絕緣材質電阻值R與導體的長度為L和導體的橫截面面積為S,電阻率為ρ可以用一個方程式表示出來如下。
R = ρl/s 方程(2)
電容量C與獨石陶瓷作為電容器具有兩個不一樣電極材質之間的間隔 (電介質構造厚度) 用L表現和內部把持電極的面積用S表現,介電常數為ε用一個方程式表示。
C ∝ ε • S/L 方程 (3)
式(4)由式(2)和式(3)導出,由式(4)可知R與C成反比例。
E/C方程(4)
絕緣電阻與直流電壓下的泄電流成反比(電阻越大,電流越?。?。通常這種情況下,絕緣材質電阻值與電路的準確性成正比(絕緣材質電阻越大電路的準確性越高)。

當直流電壓直接運行在電容器中,突發電流跟著電容器技術進步逐步被充電,電流呈指數可以下降。
電流I (t) 隨時間的增加而分為以下三類 (如方程 (1) 所示),即充電任務電流Ic (t)、接收應用電流Ia (t) 和泄電維護電流Ir。
I (t)=Ic (t)+Ia (t)+Ir 方程 (1)
與充電電流比擬,接收電流有一個延遲進程,在低頻范疇內,介電消耗、高介電常數鐵電電容器(鐵電電容器)的極性產生反轉,肖特基勢壘出現在陶瓷電極與金屬電極的界面上。
泄電電流是在接收應用電流的影響企業下降后,在必定開展階段先生產生的常數電流。
因而,以下的電流值隨施加到電容器上的時間電壓的大小而變更。這意味著,只要在指定任務電壓用處下的按時實行測量技術才能終極斷定電容器的絕緣電阻值。
絕緣電阻值
絕緣電阻的大小用 megohm [ mω ]或 ohmfara [ ωf ]表示。
指定值隨電容值的變化而變化。這個值表示為名義電容和絕緣電阻(cr 乘積)的乘積。如: 絕緣材質電阻大于1萬MΩ時,電容為≤0.047µF,當絕緣測試電阻為500ΩF時,其值>0.047µF。
絕緣電阻值的保證
性能 性能(1) 性能(2)
船長圖申shizuka的標準數量容量C < = 0.047微米F…超過10000米阻抗
C>0.047μF???500ΩF以上 50ΩF以上
測試條件 測量電壓???額定電壓
充電時間???2分鐘
測量溫度???常溫
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充電時間???1分鐘
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計算公式范例
為1µF時 性能(1)的絕緣電阻值
“=500ΩF/1*10-6F“
“=500Ω/1*10-6“
“=500Ω*106“
“=500MΩ以上“ 性能(2)的絕緣電阻值
“=50ΩF/1*10-6F“
“=50Ω/1*10-6“
“=50Ω*106“
“=50MΩ以上“
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絕緣電阻值
1μF 500MΩ以上 50MΩ以上
2.2μF 227MΩ以上 22.7MΩ以上
4.7μF 106MΩ以上 10.6MΩ以上
10μF 50MΩ以上 5MΩ以上
22μF - 2.27MΩ以上
47μF - 1.06MΩ以上
100μF - 0.5MΩ以上
以上數據顯示,電容值與絕緣材質電阻值成反比(電容值越高絕緣電阻值越低)。
緣由說明以下: 思索到陶瓷電容可視為導體,可以依據施加在其上的電壓和電流,應用歐姆定律計算絕緣電阻。
絕緣材質電阻值R與導體的長度為L和導體的橫截面面積為S,電阻率為ρ可以用一個方程式表示出來如下。
R = ρl/s 方程(2)
電容量C與獨石陶瓷作為電容器具有兩個不一樣電極材質之間的間隔 (電介質構造厚度) 用L表現和內部把持電極的面積用S表現,介電常數為ε用一個方程式表示。
C ∝ ε • S/L 方程 (3)
式(4)由式(2)和式(3)導出,由式(4)可知R與C成反比例。
E/C方程(4)
絕緣電阻與直流電壓下的泄電流成反比(電阻越大,電流越?。?。通常這種情況下,絕緣材質電阻值與電路的準確性成正比(絕緣材質電阻越大電路的準確性越高)。
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